Formung hervorragender, einheitlicher Bumps
Wir bieten Drähte an, die mithilfe der Draht Bumping-Methode hergestellt werden können und die so erlauben, je nach Bedarf alle elektronischen Bauteile zu miniaturisieren, dünner und dichter zu gestalten. Auch auf Halbleitergeräten wie IC oder LSI etc. können an den Verbindungen mikroskopischer elektronischer Geräte kostengünstige einheitliche Bumps hervorragender Qualität geformt werden.
■ Eigenschaften
- Nach der Ausbildung der Bumps gibt es nur minimale Streuung der Halshöhe
- Die Form der Bumps ist ebenfalls gleichbleibend
- Optimal für Kleinserienproduktion
澳洲5娱乐平台
GBC Typ
■Eigenschaften
・Geringe Abnahme der Scherfestigkeit mit der Zeit im Hochtemperaturlagertest (200°C) nach der Ausbildung der Bumps
Gold Bumping-Draht
GBE Typ
■Eigenschaften
・Bei der Ausbildung der Bumps kommt es nicht zu Beschädigungen der Chips
Halshöhe
die Form der Bumps